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IXTJ6N150

IXTJ6N150

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IXYS

MOSFET N-CH 1500V 3A TO247

SOT-23

IXTJ6N150 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTJ6N150 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $9.43000 $282.9
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.85Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2230 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SI2308BDS-T1-E3
DMT6012LFV-13
PMPB08R5XNX
PMPB08R5XNX
$0 $/Stück
DI045N03PT
IXTU8N70X2
IXTU8N70X2
$0 $/Stück
RSH070P05TB1
NTLJS3180PZTBG
NTLJS3180PZTBG
$0 $/Stück
SI7439DP-T1-E3

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