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IXTK88N30P

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IXYS

MOSFET N-CH 300V 88A TO264

IXTK88N30P Technisches Datenblatt

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IXTK88N30P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
25 $8.24120 $206.03
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 300 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 88A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 40mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 180 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-264 (IXTK)
Paket / Koffer TO-264-3, TO-264AA
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Zugehörige Teilenummer

DMP3030SN-7
SQJ412EP-T1_GE3
STD4NK100Z
STD4NK100Z
$0 $/Stück
IRFRC20TRLPBF-BE3
IXFK170N25X3
IXFK170N25X3
$0 $/Stück
APT10035LFLLG
IRFR210BTM
IXTT52N30P
IXTT52N30P
$0 $/Stück
SISH110DN-T1-GE3

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