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IXTK8N150L

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IXYS

MOSFET N-CH 1500V 8A TO264

IXTK8N150L Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTK8N150L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $30.46000 $30.46
25 $25.89120 $647.28
100 $24.06340 $2406.34
4 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 3.6Ohm @ 4A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 8V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 250 nC @ 15 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 700W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-264 (IXTK)
Paket / Koffer TO-264-3, TO-264AA
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Zugehörige Teilenummer

IXFT50N30Q3
IXFT50N30Q3
$0 $/Stück
HUF76437S3S
SISA10DN-T1-GE3
2SK3707-1E
2SK3707-1E
$0 $/Stück
BUK752R7-60E,127
BUK752R7-60E,127
$0 $/Stück
FDMS0310AS
FDMS0310AS
$0 $/Stück

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