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IXTN62N50L

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 62A SOT227B

IXTN62N50L Technisches Datenblatt

compliant

IXTN62N50L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $54.43000 $54.43
10 $50.89700 $508.97
30 $47.07200 $1412.16
100 $44.13000 $4413
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 62A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 20V
rds ein (max) @ id, vgs 100mOhm @ 500mA, 20V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 550 nC @ 20 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 800W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

PSMN9R1-30YL,115
RM100N60T7
RM100N60T7
$0 $/Stück
MCH3377-TL-H
MCH3377-TL-H
$0 $/Stück
FQI11P06TU
SISS10DN-T1-GE3
DMP2070UQ-13

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