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IXTN90N25L2

IXTN90N25L2

IXTN90N25L2

IXYS

MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B

IXTN90N25L2 Technisches Datenblatt

compliant

IXTN90N25L2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $37.40000 $37.4
10 $34.59500 $345.95
30 $31.79000 $953.7
100 $29.54600 $2954.6
250 $27.11500 $6778.75
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 33mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 3mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 640 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 23000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 735W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227B
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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