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IXTP08N50D2

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB

IXTP08N50D2 Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTP08N50D2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.67000 $1.67
50 $1.35000 $67.5
100 $1.21500 $121.5
500 $0.94500 $472.5
1,000 $0.78300 -
2,500 $0.75600 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 800mA (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 4.6Ohm @ 400mA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12.7 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 312 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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