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IXTP14N60PM

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IXYS

MOSFET N-CH 600V 7A TO220

IXTP14N60PM Technisches Datenblatt

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IXTP14N60PM Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.40760 $120.38
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 550mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220 Isolated Tab
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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