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FDPF3860T

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 20A TO220F

FDPF3860T Technisches Datenblatt

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FDPF3860T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.64000 $1.64
10 $1.45900 $14.59
100 $1.16080 $116.08
500 $0.90864 $454.32
1,000 $0.72523 -
1471 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 38.2mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F-3
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STL26NM60N
STL26NM60N
$0 $/Stück
DMP3098LQ-7
RTR040N03HZGTL
NVMFS5C410NWFAFT3G
NVMFS5C410NWFAFT3G
$0 $/Stück
R6004JND3TL1
PSMN4R6-60PS,127
IRLL110TRPBF
IRLL110TRPBF
$0 $/Stück

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