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IXTP170N075T2

IXTP170N075T2

IXTP170N075T2

IXYS

MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB

nicht konform

IXTP170N075T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $2.45000 $122.5
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 75 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 109 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6860 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 360W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IXTA4N80P-TRL
IXTA4N80P-TRL
$0 $/Stück
SQM40020E_GE3
PMZB150UNEYL
IXTA4N70X2
IXTA4N70X2
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BVSS123LT1G
BVSS123LT1G
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FCB070N65S3
FCB070N65S3
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