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IXTP1N80P

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IXYS

MOSFET N-CH 800V 1A TO220AB

SOT-23

IXTP1N80P Technisches Datenblatt

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IXTP1N80P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $1.75000 $87.5
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 250 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 42W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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