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IXTP50N25T

IXTP50N25T

IXTP50N25T

IXYS

MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB

IXTP50N25T Technisches Datenblatt

compliant

IXTP50N25T Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.72000 $3.72
50 $2.99260 $149.63
100 $2.72650 $272.65
500 $2.20780 $1103.9
1,000 $1.86200 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 50mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 400W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

ZVNL110ASTZ
IXTT110N10P
IXTT110N10P
$0 $/Stück
IXTT60N20L2
IXTT60N20L2
$0 $/Stück
DMN2300UFD-7
2SK4066-1E
2SK4066-1E
$0 $/Stück
STD4NK80Z-1
NTA7002NT1G
NTA7002NT1G
$0 $/Stück
R6004PND3FRATL

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