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IXTR30N25

IXTR30N25

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IXYS

MOSFET N-CH 250V 25A ISOPLUS247

IXTR30N25 Technisches Datenblatt

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IXTR30N25 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $10.71167 $321.3501
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 250 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 75mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 136 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3950 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

SI7718DN-T1-GE3
IRFIBF30G
IRFIBF30G
$0 $/Stück
STW75NF30
STW75NF30
$0 $/Stück
BUK9509-55A,127
BUK9509-55A,127
$0 $/Stück
SI4466DY-T1-E3
IRF3711SPBF
IPB47N10SL-26
NTD4863NA-1G
NTD4863NA-1G
$0 $/Stück

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