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IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 12A TO268

compliant

IXTT12N150HV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $40.33000 $40.33
30 $34.88000 $1046.4
120 $32.70000 $3924
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3720 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 890W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

IXTZ550N055T2
IXTZ550N055T2
$0 $/Stück
FDD6606
SI2356DS-T1-BE3
DMN3200U-7
FQB9N50CFTM
NTP18N06LG
NTP18N06LG
$0 $/Stück
IRFB4115PBF
PMN30UNEX
PMN30UNEX
$0 $/Stück

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