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IXTT16P60P

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IXYS

MOSFET P-CH 600V 16A TO268

IXTT16P60P Technisches Datenblatt

compliant

IXTT16P60P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $10.00000 $10
30 $8.20000 $246
120 $7.40000 $888
510 $6.20000 $3162
1,020 $5.60000 -
802 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 16A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 720mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 92 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5120 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 460W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

DMN95H8D5HCT
FDD3672
FDD3672
$0 $/Stück
IRFP4310ZPBF
IXFN520N075T2
IXFN520N075T2
$0 $/Stück
SIHB12N50C-E3
STWA75N60M6
IRFB3256PBF
DMN61D9UWQ-7

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