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IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

IXTT4N150HV

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 4A TO268

IXTT4N150HV Technisches Datenblatt

compliant

IXTT4N150HV Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $26.40000 $26.4
30 $22.44000 $673.2
120 $20.85600 $2502.72
510 $18.48000 $9424.8
40 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 44.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1576 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 280W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

BUK962R8-60E,118
NTMJS0D8N04CLTWG
NTMJS0D8N04CLTWG
$0 $/Stück
IXTK140N20P
IXTK140N20P
$0 $/Stück
SIHP21N60EF-GE3
IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P
$0 $/Stück

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