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IXTT90P10P

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IXYS

MOSFET P-CH 100V 90A TO268

IXTT90P10P Technisches Datenblatt

nicht konform

IXTT90P10P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $10.00000 $10
30 $8.20000 $246
120 $7.40000 $888
510 $6.20000 $3162
1,020 $5.60000 -
40 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 462W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

NVTFS5C466NLWFTAG
NVTFS5C466NLWFTAG
$0 $/Stück
PSMN3R0-60ES,127
STP33N60M2
STP33N60M2
$0 $/Stück
AUIRL3705N
NTMFS4985NFT3G
NTMFS4985NFT3G
$0 $/Stück
FDC5661N-F085
FDC5661N-F085
$0 $/Stück
SQJ886EP-T1_GE3

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