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IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

IXTY1R6N100D2

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252

compliant

IXTY1R6N100D2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.29000 $2.29
70 $1.85000 $129.5
140 $1.66500 $233.1
560 $1.29500 $725.2
1,050 $1.07300 -
2,520 $1.03600 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 10Ohm @ 800mA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 645 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252AA
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

DMG3401LSN-7
IXTH200N10T
IXTH200N10T
$0 $/Stück
ZXMP4A16GQTC
MMIX1T132N50P3
MMIX1T132N50P3
$0 $/Stück
STD155N3LH6
IXTQ76N25T
IXTQ76N25T
$0 $/Stück
FDS4470
FDS4470
$0 $/Stück

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