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STD155N3LH6

STD155N3LH6

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MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

STD155N3LH6 Technisches Datenblatt

compliant

STD155N3LH6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.12860 -
5,000 $1.08680 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3800 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-PAK (TO-252)
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IXTQ76N25T
IXTQ76N25T
$0 $/Stück
FDS4470
FDS4470
$0 $/Stück
DMNH4005SCTQ
SI3445DV
NVTFS4C13NTWG
NVTFS4C13NTWG
$0 $/Stück

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