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| Name | Wert |
|---|---|
| Produktstatus | Active |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET-Funktion | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 58A |
| rds ein (max) @ id, vgs | - |
| vgs(th) (max) @ ID | - |
| Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
| Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | - |
| Leistung - max. | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montageart | Surface Mount |
| Paket / Koffer | 9-SMD Power Module |
| Lieferantengerätepaket | SMPD |
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