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VMM1000-01P

VMM1000-01P

VMM1000-01P

IXYS

MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI

VMM1000-01P Technisches Datenblatt

nicht konform

VMM1000-01P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1000A
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 800A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 10mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2355nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. -
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer Y3-Li
Lieferantengerätepaket Y3-Li
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Zugehörige Teilenummer

SI5902DC-T1-E3
FDD9407
SP8M4FRATB
SP8M4FRATB
$0 $/Stück
ZXMD65P03N8TA
FW342-TL-E
FW342-TL-E
$0 $/Stück
SP8M4FU6TB
SP8M4FU6TB
$0 $/Stück
IRF8513PBF
SI7236DP-T1-GE3

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