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SI5902DC-T1-E3

SI5902DC-T1-E3

SI5902DC-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8

nicht konform

SI5902DC-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.9A
rds ein (max) @ id, vgs 85mOhm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA (Min)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.5nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket 1206-8 ChipFET™
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Zugehörige Teilenummer

FDD9407
SP8M4FRATB
SP8M4FRATB
$0 $/Stück
ZXMD65P03N8TA
FW342-TL-E
FW342-TL-E
$0 $/Stück
SP8M4FU6TB
SP8M4FU6TB
$0 $/Stück
IRF8513PBF
SI7236DP-T1-GE3
SI4818DY-T1-E3

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