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2N7002W-TP

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MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-323

2N7002W-TP Technisches Datenblatt

nicht konform

2N7002W-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.06750 -
6,000 $0.06150 -
15,000 $0.05550 -
30,000 $0.05250 -
75,000 $0.04950 -
161 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 115mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5Ohm @ 50mA, 5V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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