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MCQ12N06-TP

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MOSFET N-CH 60V 12A 8SOP

MCQ12N06-TP Technisches Datenblatt

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MCQ12N06-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
4,000 $0.30600 -
8,000 $0.29700 -
360 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 12A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1988 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-SOP
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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