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NTQS6463R2

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onsemi

MOSFET P-CH 20V 6.8A 8TSSOP

NTQS6463R2 Technisches Datenblatt

nicht konform

NTQS6463R2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.40000 $0.4
500 $0.396 $198
1000 $0.392 $392
1500 $0.388 $582
2000 $0.384 $768
2500 $0.38 $950
5050 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.8A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 20mOhm @ 6.8A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 900mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50 nC @ 5 V
vgs (max) ±12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 930mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-TSSOP
Paket / Koffer 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Zugehörige Teilenummer

SCTW100N65G2AG
IRFI634GPBF
IRFI634GPBF
$0 $/Stück
R8001CND3FRATL
NTTFS4932NTAG
NTTFS4932NTAG
$0 $/Stück
SI7117DN-T1-E3
SQD50P08-28_GE3

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