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MCU20N06A-TP

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MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

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MCU20N06A-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.26100 -
5,000 $0.25200 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 45mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 500 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D-Pak
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

SIHG73N60AEL-GE3
IRL530STRRPBF
DMN3016LFDE-13
CSD25501F3T
CSD25501F3T
$0 $/Stück
FSS275-TL-E
FSS275-TL-E
$0 $/Stück
SI7178DP-T1-GE3
RRH050P03GZETB

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