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SI2102-TP

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MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT323

SI2102-TP Technisches Datenblatt

nicht konform

SI2102-TP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.39000 $0.39
500 $0.3861 $193.05
1000 $0.3822 $382.2
1500 $0.3783 $567.45
2000 $0.3744 $748.8
2500 $0.3705 $926.25
22027 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.1A (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 2.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 50µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 300 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200mW
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-323
Paket / Koffer SC-70, SOT-323
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Zugehörige Teilenummer

PMN25ENEAX
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$0 $/Stück
PSMN1R6-40YLC,115
NTMFS4926NT1G
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$0 $/Stück
SQ4431EY-T1_GE3
DMP4025LK3Q-13

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