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2N6661

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MOSFET N-CH 90V 350MA TO39

2N6661 Technisches Datenblatt

compliant

2N6661 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $11.41000 $11.41
25 $10.46480 $261.62
100 $10.18050 $1018.05
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 90 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 350mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 50 pF @ 24 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-39
Paket / Koffer TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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Zugehörige Teilenummer

BUK9605-30A,118
SISS54DN-T1-GE3
SIHB28N60EF-T5-GE3
NTE2390
NTE2390
$0 $/Stück
IRFR420
IRFR420
$0 $/Stück
RM3401Y
RM3401Y
$0 $/Stück

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