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APL602B2G

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MOSFET N-CH 600V 49A T-MAX

APL602B2G Technisches Datenblatt

compliant

APL602B2G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $43.94967 $1318.4901
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 49A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 12V
rds ein (max) @ id, vgs 125mOhm @ 24.5A, 12V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9000 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 730W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket T-MAX™ [B2]
Paket / Koffer TO-247-3 Variant
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Zugehörige Teilenummer

IXFN100N50P
IXFN100N50P
$0 $/Stück
SI2336DS-T1-BE3
C3M0025065K
C3M0025065K
$0 $/Stück
FDMS0312S
IRF9520STRLPBF
RF4E110GNTR
FQD5N15TM
FQD5N15TM
$0 $/Stück
DMN10H099SK3-13
RSJ450N04TL

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