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APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

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APT10M11JVRU2 Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 142A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 71A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 300 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8600 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 450W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket SOT-227
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

IXTP80N075L2
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TN2524N8-G
IXFN26N100P
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FQU10N20TU
FCH041N65EF-F155
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