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APT24M80B

APT24M80B

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MOSFET N-CH 800V 25A TO247

APT24M80B Technisches Datenblatt

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APT24M80B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
50 $9.51040 $475.52
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 390mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4595 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 625W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
Paket / Koffer TO-247-3
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Zugehörige Teilenummer

VN10KN3-G-P003
HUF75545S3
IXTP32P05T
IXTP32P05T
$0 $/Stück
FDP39N20
NTD4979NT4G
NTD4979NT4G
$0 $/Stück
IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3
$0 $/Stück
IXFK32N100P
IXFK32N100P
$0 $/Stück
BSS84AKW/DG/B2215

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