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TK9P65W,RQ

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MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK

TK9P65W,RQ Technisches Datenblatt

compliant

TK9P65W,RQ Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.78680 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9.3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 560mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 350µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 700 pF @ 300 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 80W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FDP39N20
NTD4979NT4G
NTD4979NT4G
$0 $/Stück
IXFQ20N50P3
IXFQ20N50P3
$0 $/Stück
IXFK32N100P
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$0 $/Stück
BSS84AKW/DG/B2215
RM210N75HD
RM210N75HD
$0 $/Stück
R6511KNJTL
R6511KNJTL
$0 $/Stück
SISH407DN-T1-GE3

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