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SISH407DN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 15.4A/25A PPAK

nicht konform

SISH407DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.38138 -
6,000 $0.35663 -
15,000 $0.34425 -
30,000 $0.33750 -
15000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15.4A (Ta), 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 93.8 nC @ 8 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2760 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8SH
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