Welcome to ichome.com!

logo
Heim

PJP2NA60_T0_00001

PJP2NA60_T0_00001

PJP2NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

nicht konform

PJP2NA60_T0_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.93000 $0.93
500 $0.9207 $460.35
1000 $0.9114 $911.4
1500 $0.9021 $1353.15
2000 $0.8928 $1785.6
2500 $0.8835 $2208.75
0 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 5.7 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 257 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 44W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.