Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 13.5A PPAK1212-8

compliant

SI7110DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.10950 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.3mOhm @ 21.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SI2392ADS-T1-GE3
STL4N80K5
STL4N80K5
$0 $/Stück
FBG10N05AC
FBG10N05AC
$0 $/Stück
STW57N65M5-4
IXFH150N15P
IXFH150N15P
$0 $/Stück
STD155N3H6
STD155N3H6
$0 $/Stück
IRLZ44NPBF
BUK968R3-40E,118
BUK968R3-40E,118
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.