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STL4N80K5

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MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT

STL4N80K5 Technisches Datenblatt

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STL4N80K5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.77850 -
6,000 $0.74385 -
15,000 $0.71910 -
2911 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 100µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10.5 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 175 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerFlat™ (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

FBG10N05AC
FBG10N05AC
$0 $/Stück
STW57N65M5-4
IXFH150N15P
IXFH150N15P
$0 $/Stück
STD155N3H6
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$0 $/Stück
IRLZ44NPBF
BUK968R3-40E,118
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$0 $/Stück
NTJS3151PT1G
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$0 $/Stück
PMZB200UNEYL
IXFH6N120
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$0 $/Stück

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