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PMZB200UNEYL

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MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3

nicht konform

PMZB200UNEYL Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
10,000 $0.07286 -
30,000 $0.06831 -
50,000 $0.06057 -
100,000 $0.05920 -
39299 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 1.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 950mV @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 2.7 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 89 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN1006B-3
Paket / Koffer 3-XFDFN
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Zugehörige Teilenummer

IXFH6N120
IXFH6N120
$0 $/Stück
SI4128DY-T1-GE3
BUK7606-55B,118
IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P
$0 $/Stück
FQP2N40-F080
FQP2N40-F080
$0 $/Stück
IXFP130N15X3
IXFP130N15X3
$0 $/Stück
PHD97NQ03LT,118
ECH8310-TL-H
ECH8310-TL-H
$0 $/Stück

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