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SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

SISS42DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK

nicht konform

SISS42DN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.79250 -
6,000 $0.76500 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.8A (Ta), 40.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 14.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1850 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 4.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8S
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8S
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Zugehörige Teilenummer

SI7110DN-T1-GE3
SI2392ADS-T1-GE3
STL4N80K5
STL4N80K5
$0 $/Stück
FBG10N05AC
FBG10N05AC
$0 $/Stück
STW57N65M5-4
IXFH150N15P
IXFH150N15P
$0 $/Stück
STD155N3H6
STD155N3H6
$0 $/Stück
IRLZ44NPBF

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