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APT56M60L

APT56M60L

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MOSFET N-CH 600V 60A TO264

APT56M60L Technisches Datenblatt

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APT56M60L Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
34 $14.17147 $481.82998
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 130mOhm @ 28A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 280 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 11300 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-264
Paket / Koffer TO-264-3, TO-264AA
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Zugehörige Teilenummer

DMN2040UVT-7
MVMBF0201NLT1G
MVMBF0201NLT1G
$0 $/Stück
FDV303N
FDV303N
$0 $/Stück
STR2N2VH5
STR2N2VH5
$0 $/Stück
CSD17581Q3A
CSD17581Q3A
$0 $/Stück
PSMN2R0-60PS,127
IRF614STRRPBF
STL42N65M5
STL42N65M5
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