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APT9F100B

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MOSFET N-CH 1000V 9A TO247

APT9F100B Technisches Datenblatt

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APT9F100B Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
94 $5.58298 $524.80012
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.6Ohm @ 5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2606 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 337W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 [B]
Paket / Koffer TO-247-3
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