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STF9N60M2

STF9N60M2

STF9N60M2

MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP

STF9N60M2 Technisches Datenblatt

nicht konform

STF9N60M2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.88000 $1.88
50 $1.53480 $76.74
100 $1.39120 $139.12
500 $1.10404 $552.02
1,000 $0.93177 -
2,500 $0.87435 -
5,000 $0.84564 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 780mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 320 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 20W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

RUM001L02T2CL
IRF614PBF
IRF614PBF
$0 $/Stück
SI3457CDV-T1-GE3
DMP2123L-7
IXFN420N10T
IXFN420N10T
$0 $/Stück
CSD19533KCS
CSD19533KCS
$0 $/Stück
NVMFS5C638NLT1G
NVMFS5C638NLT1G
$0 $/Stück

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