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APTM50DDA10T3G

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MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

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APTM50DDA10T3G Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 37A
rds ein (max) @ id, vgs 120mOhm @ 18.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 96nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4367pF @ 25V
Leistung - max. 312W
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer SP3
Lieferantengerätepaket SP3
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Zugehörige Teilenummer

SIL2300-TP
DI038N04PQ2-AQ
DMN12M7UCA10-7
DMN2022UDH-7
IRF740S2515
APTC60AM24SCTG
APTM10AM05FTG
CAB760M12HM3R
CAB760M12HM3R
$0 $/Stück
UPA1981TE-T1-A
UPA1981TE-T1-A
$0 $/Stück

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