Welcome to ichome.com!

logo
Heim

DN1509N8-G

DN1509N8-G

DN1509N8-G

MOSFET N-CH 90V 360MA TO243AA

DN1509N8-G Technisches Datenblatt

compliant

DN1509N8-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.54796 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 90 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 360mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 6Ohm @ 200mA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 150 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-243AA (SOT-89)
Paket / Koffer TO-243AA
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

HUF75307D3
HUF75307D3
$0 $/Stück
NTD78N03R-35G
NTD78N03R-35G
$0 $/Stück
NX6008NBKWX
NX6008NBKWX
$0 $/Stück
STU4N52K3
STU4N52K3
$0 $/Stück
SUD50P06-15-BE3
SIDR140DP-T1-RE3
HUF75333S3

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.