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SIDR140DP-T1-RE3

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SIDR140DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 25-V (D-S) MOSFET

nicht konform

SIDR140DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.82000 $2.82
500 $2.7918 $1395.9
1000 $2.7636 $2763.6
1500 $2.7354 $4103.1
2000 $2.7072 $5414.4
2500 $2.679 $6697.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 25 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 79A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 0.67mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 170 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8150 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

HUF75333S3
DMP3015LSSQ-13
IXFX94N50P2
IXFX94N50P2
$0 $/Stück
SQD19P06-60L_T4GE3
FQP6N80C
FQP6N80C
$0 $/Stück

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