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LND01K1-G

LND01K1-G

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MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5

SOT-23

LND01K1-G Technisches Datenblatt

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LND01K1-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.33166 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 9 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 330mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 100mA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) +0.6V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 46 pF @ 5 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta)
Betriebstemperatur -25°C ~ 125°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-5
Paket / Koffer SC-74A, SOT-753
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Zugehörige Teilenummer

FQD2N80TM
FQD2N80TM
$0 $/Stück
NTD4959NHT4G
NTD4959NHT4G
$0 $/Stück
DMN3028LQ-7
DMPH6250S-13
IRFW630BTM-FP001
IRFW630BTM-FP001
$0 $/Stück
TN0610N3-G
STL8N6LF6AG
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SI2319CDS-T1-BE3

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