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LND150N8-G

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MOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3

SOT-23

LND150N8-G Technisches Datenblatt

nicht konform

LND150N8-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,000 $0.46351 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 1.6W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-89-3
Paket / Koffer TO-243AA
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Zugehörige Teilenummer

FDMF6704A
FDMF6704A
$0 $/Stück
IRFI830GPBF
IRFI830GPBF
$0 $/Stück
SIHA22N60AE-E3
SQA401CEJW-T1_GE3
IRFR120NTRPBF
STP35N60DM2
FQP17P06
FQP17P06
$0 $/Stück

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