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LND250K1-G

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MOSFET N-CH 500V 13MA SOT23

LND250K1-G Technisches Datenblatt

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LND250K1-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.28840 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13mA (Tj)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 0V
rds ein (max) @ id, vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 10 pF @ 25 V
FET-Funktion Depletion Mode
Verlustleistung (max.) 360mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23 (TO-236AB)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

NTMFS5C410NLT3G
NTMFS5C410NLT3G
$0 $/Stück
PSMN012-60MSX
SPP35N10
BUK7608-55A,118
SIR664DP-T1-GE3
STD16N60M6
STD16N60M6
$0 $/Stück
HUF75329D3ST
HUF75329D3ST
$0 $/Stück

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