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SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

SIR664DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8

compliant

SIR664DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.54022 -
6,000 $0.51485 -
15,000 $0.49674 -
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1750 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

STD16N60M6
STD16N60M6
$0 $/Stück
HUF75329D3ST
HUF75329D3ST
$0 $/Stück
STD70N10F4
STD70N10F4
$0 $/Stück
PSMN2R7-30BL,118
FDPF16N50T
FDPF16N50T
$0 $/Stück

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