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MSCMC170AM08CT6LIAG

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PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI

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MSCMC170AM08CT6LIAG Preise und Bestellung

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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 N Channel (Phase Leg)
FET-Funktion Silicon Carbide (SiC)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1700V (1.7kV)
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 280A (Tc)
rds ein (max) @ id, vgs 11.7mOhm @ 300A, 20V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 108mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 1128nC @ 20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 22000pF @ 1000V
Leistung - max. 1780W (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Paket / Koffer Module
Lieferantengerätepaket SP6C LI
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Zugehörige Teilenummer

JANTXV2N7335
IRF630BTSTU
FF2MR12KM1HP
MCH6605-TL-EX
MCH6605-TL-EX
$0 $/Stück
IRF6156
IRF6156
$0 $/Stück
APTC90H12T1G
ISL6605CRR5151
ISL6605CRR5151
$0 $/Stück

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