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TC6320TG-G

TC6320TG-G

TC6320TG-G

MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

TC6320TG-G Technisches Datenblatt

compliant

TC6320TG-G Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,300 $1.05266 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
rds ein (max) @ id, vgs 7Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 110pF @ 25V
Leistung - max. -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

BUK7K35-60EX
DMP2900UV-7
DMN2991UDJ-7
DMG1029SVQ-7
NTLJD3181PZTBG
NTLJD3181PZTBG
$0 $/Stück
SI4925BDY-T1-E3
NVMFD6H840NLT1G
NVMFD6H840NLT1G
$0 $/Stück

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