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SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

SI4925BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

compliant

SI4925BDY-T1-E3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.56859 -
5,000 $0.54189 -
12,500 $0.52282 -
10658 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
FET-Funktion Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 5.3A
rds ein (max) @ id, vgs 25mOhm @ 7.1A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 50nC @ 10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
Leistung - max. 1.1W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC
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Zugehörige Teilenummer

NVMFD6H840NLT1G
NVMFD6H840NLT1G
$0 $/Stück
APTM100TA35FPG
MCCD2007-TP
SI3552DV-T1-GE3
DMT3020LFDB-7
FDG6308P
FDG6308P
$0 $/Stück
BUK9K30-80EX
SMA5118
SMA5118
$0 $/Stück
SQJB00EP-T1_GE3

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